5 2N FET's
Field Effect Transistors van het 2N type
6 2S FET's
Field Effect Transistors van het 2S type
2 BF FET's
Field Effect Transistors van het BF type zijn net als BF transistors gemaakt op basis van silicium en voor radio frequenties.
Field Effect Transistors van het IR type. IR is de afkorting van de fabrikant "International Rectifier". Tegenwoordig worden deze FET's onder meer gemaakt door Vishay maar nog steeds aangeduid als IR.
Field Effect Transistors van het type IR (International Rectifier). Tegenwoordig worden onder deze prefix FET's door meerdere fabrikanten geproduceerd. Deze FET's zijn geschikt voor een gelijkspanning tot maximaal 600 volt.
14 J type FET's
Junction Field-Effect Transistor
Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistors tot 100 volt.
Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistors vanaf 100 volt.
